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    薄膜壓力傳感器制造工藝設(shè)備之離子刻蝕機(jī)

    發(fā)布時間:2013-8-17??????發(fā)布人:澤天傳感??????點擊:

    1、概述

    隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展,芯片圖形精度越來越高,常規(guī)的濕法腐蝕由于難以避免的橫向鉆蝕,已不能滿足高精度細(xì)線條圖形刻蝕的要求,于是逐步發(fā)展了一系列干法刻蝕技術(shù)。應(yīng)用較普遍的有等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、二極濺射刻蝕、離子束刻蝕(也稱離子銑)。

    等離子刻蝕是在濕法腐蝕技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,屬于純化學(xué)性腐蝕。這種方法腐蝕均勻性好、損傷小,缺點是各向刻蝕同性,對于1μm以下的細(xì)線條線寬損失明顯。所以,在等離子刻蝕的基礎(chǔ)上改進(jìn)反應(yīng)結(jié)構(gòu)和接電方式,出現(xiàn)了反應(yīng)離子刻蝕。該方法加快了縱向的腐蝕速度,具有各向異性的腐蝕特點。對于1μm以下的細(xì)線條的腐蝕線寬損失較小。以上兩種腐蝕方法都離不開反應(yīng)氣體,刻蝕不同材料需要不同的反應(yīng)氣體及組分(反應(yīng)氣體一般是氯化物或氟化物),需要不同的激勵方式和激勵條件。對于很難找到合適反應(yīng)氣體的有些材料(如Pt),往往采用純物理作用的二極濺射刻蝕或離子束刻蝕。二極濺射采用直流方法使氣體分子電離,離子對基片轟擊引起的損傷大,刻蝕速率低。而離子束刻蝕是一種由離子源提供離子,離子能量低、密度大,對基片損傷小,刻蝕速率快的先進(jìn)加工方法。這種方法刻蝕的各向異性非常好、圖形轉(zhuǎn)移精度高,不用反應(yīng)氣體,工藝安全,工藝參數(shù)可控性好,是目前國內(nèi)外廣泛用戶應(yīng)用的一種精密細(xì)致的干法刻蝕方法。

    制造薄膜壓力傳感器的離子束刻蝕系統(tǒng)是一種能對固體材料表面進(jìn)行納米、微米量級加工的微加工設(shè)備,是在國外同類產(chǎn)品的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代微加工設(shè)備。該設(shè)備可進(jìn)行微結(jié)構(gòu)圖形的離子銑、材料表面的精密微拋光、微形或異形孔的加工、材料表面的微結(jié)構(gòu)加工、材料減薄和原子級潔凈處理等微細(xì)加工。該設(shè)備適用于各種超導(dǎo)材料、微光學(xué)器件、晶體材料等精密器件的離子銑、干法蝕刻、拋光、減薄以及現(xiàn)代微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS、集成電路、傳感器、光電器件、紅外器件、聲光器件、聲電器件、磁電器件、聲表面波器件、微電子器件以及醫(yī)用生物制品等精密微細(xì)蝕刻、減薄、拋光等加工,是一種多功能精密微細(xì)離子加工設(shè)備。該設(shè)備具有高分辨率、高精度幾何圖形轉(zhuǎn)移能力,各向異性刻蝕,適用任何材料,是制造各種高精度器件的理想設(shè)備。

    2、刻蝕設(shè)備的工作原理

    離子束刻蝕是用離子轟擊工件并把能量轉(zhuǎn)換到工件表面,從表面移出一個或多個原子的一種加工方式。即從離子源把離子引入到真空室中,離子平行且被加速地照射到工件上,從工件表面移出原子。在理想情況下,一個離子從表面移出一個原子,而不干擾任何鄰近的原子。

    離子刻蝕機(jī)由真空加工室、離子束發(fā)生器、離子引出和加速系統(tǒng)、離子中和器、束流檢測檔板(快門)、真空系統(tǒng)、供氣及其控制系統(tǒng)、電源裝置、計算機(jī)控制系統(tǒng)等主要部件組成

    3、設(shè)備的主要性能特點

    ①、系統(tǒng)由計算機(jī)控制,通過觸摸屏操作,參數(shù)設(shè)置靈活,可控性好。

    ②、采用特別技術(shù)離子束產(chǎn)生器,能量精確可控,適用不同產(chǎn)品蝕刻、拋光、減薄等形式加工,產(chǎn)品加工均勻性好。

    ③、獨特的柵網(wǎng)設(shè)計,保證束流的均勻性和穩(wěn)定性,產(chǎn)品加工一致性和重復(fù)性好。

    ④、對材料無選擇性,任何固體材料都可加工。

    ⑤、工件加工角度可在0°~90°之間任意變化。

    ⑥、6×10-6mbar無油超真空系統(tǒng),保證系統(tǒng)在5×10-5~2×10-4 mbar的工作壓力下穩(wěn)定工作。

    ⑦、工藝安全,無污染。系統(tǒng)操作維護(hù)簡單,運行成本低。

    4、主要技術(shù)參數(shù)

    ①、離子束發(fā)生器:能量0~1200ev連續(xù)可調(diào),束流0~120ma,出口束直徑Φ120mm。   

    ②、綜合工作臺:單軸旋轉(zhuǎn)10轉(zhuǎn)/分,相對軸傾斜0~90°可調(diào)。工作臺面直接水冷,臺面直徑Ф130mm。

    ③、真空系統(tǒng):機(jī)械泵、分子泵、主閥、組合閥系統(tǒng)。

    ④、極限真空:5×10-6mbar。

    ⑤、送氣系統(tǒng):恒壓送氣,數(shù)字質(zhì)量流量計精確控制。

    ⑥、離子束供電系統(tǒng):精密恒流恒壓電源。

    ⑦、快門擋板:計算機(jī)自動控制。

    ⑧、系統(tǒng)互鎖:包括電子的、硬件的和氣動安全互鎖。

    5、典型應(yīng)用

    離子束干法刻蝕對基片損傷小、刻蝕速率快、各向異性非常好、圖形轉(zhuǎn)移精度高、不用反應(yīng)氣體、工藝安全、工藝參數(shù)可控性好,是目前國內(nèi)外廣泛應(yīng)用的一種精細(xì)刻蝕方法。該系統(tǒng)已成為微電子技術(shù)領(lǐng)域重要的加工設(shè)備之一,是力敏、溫敏、氣溫、磁敏、濕敏等薄膜傳感器和磁性器件、磁光波導(dǎo)、磁存貯器、金屬異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)器件、太陽能電池、聲表面波器件、高溫超導(dǎo)器件等微納器件的理想蝕刻、拋光、減薄設(shè)備。

    6、結(jié)束語

    離子束刻蝕對材料無選擇性,在固定離子束入射角的情況下,刻蝕速率主要與被刻材料有關(guān),并隨離子束的能量和束流密度的增加而增加,離子束的能量和束流密度分別可調(diào),所以工藝參數(shù)可控性好,容易得到較好的工藝均勻性和重復(fù)性;由于離子束刻蝕是各向異性腐蝕,所以圖形轉(zhuǎn)移精度高,細(xì)線條的線寬損失?。浑x子束刻蝕只用氬氣,不用反應(yīng)氣體,工藝安全,對環(huán)境污染小,運轉(zhuǎn)成本低,尤其適用于采用化學(xué)方法難以刻蝕的材料的刻蝕及精密的薄膜刻蝕。

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